SSD

1 ТБ, M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Silicon Motion SM2264, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7400/6000 MBps, случайный доступ: 730000/610000 IOps, совместимость с PS5

2.5", SATA 3.0, контроллер Silicon Motion SM2259, последовательный доступ: 520/430 MBps, случайный доступ: 50000/50000 IOps

960 ГБ, 2.5", SATA 3.0, последовательный доступ: 540/510 МБайт/с

2 ТБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 530/475 МБайт/с

512 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3500/2300 МБайт/с, случайный доступ: 400000/600000 IOps

1 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/88000 IOps, DRAM-буфер

512 ГБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, последовательный доступ: 7000/4300 МБайт/с, случайный доступ: 915200/762800 IOps, SLC-кэш

M.2, PCI Express 4.0 x4, последовательный доступ: 6800/4000 MBps, случайный доступ: 1000000/180000 IOps

240 ГБ, mSATA, SATA 3.0, микросхемы TLC

2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/510 MBps, случайный доступ: 90000/54000 IOps

500 ГБ, M.2, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.3), контроллер Phison PS5016-E16, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 4500/2500 МБайт/с, случайный доступ: 150000/300000 IOps, DRAM-буфер

1 ТБ, mSATA, SATA 3.0, контроллер Silicon Motion SM2259XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 552/491 МБайт/с, случайный доступ: 84253/57700 IOps

256 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2100/1300 МБайт/с, случайный доступ: 165000/265000 IOps

M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 1800/800 MBps, случайный доступ: 110000/95000 IOps

1000 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 556/502 МБайт/с, случайный доступ: 46297/69377 IOps

2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 MBps, случайный доступ: 98000/31000 IOps

1.92 ТБ, 2.5", SATA 3.0, последовательный доступ: 450/320 МБайт/с, случайный доступ: 40000/40000 IOps

M.2, PCI Express 3.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2500/1950 MBps

2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 520/450 MBps, случайный доступ: 40000/75000 IOps

1 ТБ, M.2, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), последовательный доступ: 4800/4600 MBps, случайный доступ: 400000/530000 IOps

1 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/88000 IOps, DRAM-буфер