SSD

480 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 540/520 МБайт/с, случайный доступ: 95000/58000 IOps

1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), контроллер Silicon Motion SM2262ENG, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3350/2800 МБайт/с, DRAM-буфер

2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 5.0 x4 (NVMe 2.0), контроллер Phison PS5026-E26, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 14600/12700 МБайт/с, DRAM-буфер

2 ТБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 540/460 МБайт/с

4 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/88000 IOps, DRAM-буфер

3.84 ТБ, 2.5", U.3 (NVMe), последовательный доступ: 6800/5000 МБайт/с, случайный доступ: 1000000/180000 IOps

2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3600/2800 МБайт/с, случайный доступ: 500000/600000 IOps, SLC-кэш

2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 540/520 MBps

2 ТБ, 2.5", SATA 3.0, последовательный доступ: 560/520 МБайт/с, случайный доступ: 87000/85000 IOps

2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 5200/4700 МБайт/с