Найдено 56 товаров
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3500/2200 MBps
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3500/2200 MBps
1 ТБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 530/475 MBps
1 ТБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 530/475 MBps
1 ТБ, M.2, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), последовательный доступ: 4800/4600 MBps, случайный доступ: 400000/530000 IOps
1 ТБ, M.2, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), последовательный доступ: 4800/4600 MBps, случайный доступ: 400000/530000 IOps
250 ГБ, M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), последовательный доступ: 3000/1400 MBps
250 ГБ, M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), последовательный доступ: 3000/1400 MBps
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), контроллер Silicon Motion SM2262ENG, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3500/3000 МБайт/с, DRAM-буфер
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), контроллер Silicon Motion SM2262ENG, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3500/3000 МБайт/с, DRAM-буфер
M.2, PCI Express 3.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2500/2100 MBps
M.2, PCI Express 3.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2500/2100 MBps
2 ТБ, M.2, PCI Express 4.0 x4, последовательный доступ: 5000/4400 MBps, случайный доступ: 600000/600000 IOps
2 ТБ, M.2, PCI Express 4.0 x4, последовательный доступ: 5000/4400 MBps, случайный доступ: 600000/600000 IOps
960 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 530/475 MBps
960 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 530/475 MBps
128 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 500/400 MBps
128 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 500/400 MBps
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3350/2800 MBps
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3350/2800 MBps
M.2, PCI Express 3.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2500/1000 MBps
M.2, PCI Express 3.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2500/1000 MBps
512 ГБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7200/4400 МБайт/с, случайный доступ: 850000/600000 IOps, SLC
512 ГБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7200/4400 МБайт/с, случайный доступ: 850000/600000 IOps, SLC
500 ГБ, M.2, PCI Express 4.0 x4, последовательный доступ: 5000/2500 MBps, случайный доступ: 450000/550000 IOps
500 ГБ, M.2, PCI Express 4.0 x4, последовательный доступ: 5000/2500 MBps, случайный доступ: 450000/550000 IOps
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), контроллер Silicon Motion SM2262ENG, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3350/2800 МБайт/с, DRAM-буфер
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), контроллер Silicon Motion SM2262ENG, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3350/2800 МБайт/с, DRAM-буфер
512 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 520/450 MBps
512 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 520/450 MBps
2 ТБ, M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), последовательный доступ: 3300/2900 MBps
2 ТБ, M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), последовательный доступ: 3300/2900 MBps