Оперативная память

32 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-43, напряжение 1.2 В

32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6200 МГц, CL 32T, тайминги 32-38-38-96, напряжение 1.35 В

8 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5600 МГц, CL 46T, тайминги 46-45-45, напряжение 1.1 В

8 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5600 МГц, CL 46T, тайминги 46-45-45, напряжение 1.1 В

1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.35 В

32 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 6000 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40-96, напряжение 1.35 В

32 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В

8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В

4 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.5 В

32 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В

1 модуль, частота 3733 МГц, CL 19T, тайминги 19-23-23, напряжение 1.35 В

8 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5600 МГц, CL 36T, тайминги 36-38-38, напряжение 1.25 В

64 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 32 ГБ, частота 6400 МГц, CL 34T, тайминги 34-44-44-84, напряжение 1.35 В

32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6200 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40-76, напряжение 1.35 В

1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В

частота 2400 МГц, CL 17T, тайминги 17-17-17, напряжение 1.2 В

2 модуля, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-36, напряжение 1.35 В

64 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM Registered, частота 4800 МГц, напряжение 1.1 В

16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3600 МГц, CL 18T, напряжение 1.35 В

1 модуль, частота 3200 МГц, CL 21T, напряжение 1.2 В