Оперативная память

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-43, напряжение 1.2 В

32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6400 МГц, CL 32T, тайминги 32-40-40-84, напряжение 1.4 В

1 модуль, частота 2666 МГц, напряжение 1.2 В

2 модуля, частота 3600 МГц, CL 20T, тайминги 20-26-26-46, напряжение 1.35 В

1 модуль, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-20-20, напряжение 1.35 В

32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В

64 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 32 ГБ, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22-42, напряжение 1.35 В

8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-20-20, напряжение 1.35 В

16 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 8 ГБ, частота 4600 МГц, CL 19T, тайминги 19-26-26, напряжение 1.5 В

96 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 48 ГБ, частота 6400 МГц, CL 32T, тайминги 32-39-39-102, напряжение 1.35 В

16 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 8 ГБ, частота 5600 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40-76, напряжение 1.25 В

32 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40-77, напряжение 1.1 В

1 модуль, частота 2666 МГц, напряжение 1.2 В

частота 2400 МГц, CL 16T, напряжение 1.2 В

128 ГБ, 4 модуля DDR4 DIMM по 32 ГБ, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22, напряжение 1.35 В

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-43, напряжение 1.2 В

2 модуля, частота 3600 МГц, CL 20T, тайминги 20-26-26-46, напряжение 1.35 В

64 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 32 ГБ, частота 6400 МГц, CL 32T, тайминги 32-39-39-102, напряжение 1.4 В

16 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 8 ГБ, частота 5200 МГц, CL 36T, тайминги 36-40-40, напряжение 1.25 В

64 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В

64 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 32 ГБ, частота 5200 МГц, CL 36T, тайминги 36-40-40, напряжение 1.25 В