Оперативная память AMD

1 модуль, частота 2400 МГц, CL 16T, тайминги 16-16-16-36, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 16T, тайминги 16-16-16, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-39, напряжение 1.35 В

1 модуль, частота 800 МГц, CL 6T, тайминги 6-6-6-18, напряжение 1.8 В

1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11-28, напряжение 1.35 В

1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 3200 МГц, CL 15T, тайминги 15-15-15-36, напряжение 1.35 В

8 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11-28, напряжение 1.5 В

1 модуль, частота 2133 МГц, CL 15T, тайминги 15-15-15-35, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 2133 МГц, CL 15T, тайминги 15-15-15-36, напряжение 1.2 В

модуль памяти DDR4 DIMM, объем 4 ГБ, частота 2133 МГц, тайминги 15-15-15-36, напряжение питания 1.2 В